Metode sintering reaksi SiC phon that berhasil dipeulajari di Amerika Serikat. Proses sintering reaksi nakeuh lagee nyoe: phon ; SiC digabongkan, dan kelebihan Si dipasoe lam pori-pori, deungon demikian meurumpok reaksi nyang hana berpori dan padat nyang meu-ulang-ulang sinter nyang meu-ulang-ulang. Reaksi nyang disintered biasa jih na 8% SiC bebas nyang na 8% SiC bebas kareuna nyan, keu jipeupasti infiltrasi Si, kosong haroih na porositas nyang cukop{{5} Reumoh, ngon cara jisesuaikan campuran awai . SiC, bentuk ngon ukuran partikel C, ngon teukanan cetakan jeuet geungui keu geucok kepadatan ijo nyang jroh.}
Eksperimen nyan menunjukkan bahwa keramik SiC deungon sintering hana tekanan, sintering menekan suum, sintering penekan isostatik suum dan sintering reaksi na karakteristik kinerja nyang berbeda. Meunyoe sintering pers suum ngon penekanan isostating suum sintering siC relatif tinggi lam hai kepadatan sintering ngon kekuatan bengkok, Reaksi SiC relatif rendah. Di ateuh jaroe laen, sifeut mekanik dari SiC keramik pih beda ngon aditif sintering nyang beda. Pressureing, menekan suum ngon kerajing SiC Reaksi na resistensi nyang get keu asam nyang teuga ngon alkalis, tapi Reaksi SiC nyang meu-ulang-ulang na resistensi nyang hana get keu asam ultra teuga lagee HF. Watee suhu leubeh miyub dari 900 derajat, kekuatan karap mandum keramik SiC nakeuh meutamah; Bak watee suhu leubeh dari 1400 derajat , kekuatan bengkok reaksi nyang meusintering keramik SiC menurun secara tajam{6}} (nyoe kareuna tuboh sintered mengandung jumlah Si bebas, ngon kekuatan bengkok nyan meutron that watee leubeh dari suhu terteunte.) keu keramik SiC nyang disembunyikan le sintering hana tekanan ngon menekan isostatik suum, resistensi suhu tinggi terutama dipeungaroh le tipe . nibak aditif
